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电力h）NDTI-BNT活性层的XRD图案。直接b）通过喷墨印刷方法制造CMOS反相器的流程示意图。为了制造具有高迁移率和开关比以及低阈值电压的高性能双极型晶体管，次累具有相对小的带隙的半导体材料，次累平滑和无缺陷的界面以及相对小的电荷注入势垒的电极接触都是十分重要的。

千瓦f）在重复编程和擦除操作下的柔性OTFT非易失型存储器的转移特性曲线。这些都需要对半导体材料的结构和能级，年南网源漏电极的功函数以及对称性，器件结构，界面接触以及成膜性等进行综合的考虑与探讨。

季度交易计成交电d）基于WSe2的LET在不同电流方向上的圆偏振电致发光光谱。

河北b）单栅（上图）和双栅（下图）PbS基晶体管的示意结构。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，电力投稿邮箱:[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaorenVIP.。

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